IR2110 làm việc ở điện áp cao, tốc độ cao
Trình điều khiển MOSFET và IGBT với mức độc lập cao và kênh đầu ra tham chiếu bên thấp.
Độc quyền Công nghệ HVIC
Đầu vào logic là tương thích với các đầu ra CMOS hoặc LSTTL tiêu chuẩn.
Các trình điều khiển đầu ra có bộ đệm dòng xung cao giai đoạn được thiết kế cho trình điều khiển chéo tối thiểu.
Độ trễ lan truyền được khớp để đơn giản hóa sử dụng trong các ứng dụng tần số cao.
Có thể được sử dụng để điều khiển nguồn N-channel
MOSFET hoặc IGBT trong cấu hình phía cao hoạt động lên đến 500 volt

#IR2110S #IR2110 #DriverMosfet #Half_b